Prof. Dr.-Ing. Peter Baureis
Persönliche Daten
Titel
Prof. Dr.-Ing.
Vorname
Peter
Nachname
Baureis
Telefonnummer
+49 931 3511 - 8804
E-Mail Adresse
Abteilung / Funktion / Ausstattung an der FHWS
Fakultät
FANG (Angewandte Natur und Geisteswissenschaft)
Funktion in der FHWS
Array
Labor
Physik
Laborausstattung
Grundausstattung für die Experimentalphysikvorlesung im Studiengang Kunstofftechnik und Vermessung
elektrische Messtechnik:
Netzwerk- und Spektrumanalyse bis 20GHz
On wafer Messtechnik bis 20 Ghz
Rauschmesstechnik bis 18 GHz
Impedanzmessplatz für die Messung von Piezoelektrischen Bauelementen
Leiterplattenprototypen Herstellung für Anwendungen bis 20 GHz mit CNC Fräse ISEL CPM3020 (10 µm Positioniergenauigkeit)
Gepulste Spannungsmessung im 10 ns -Bereich
Vakuummesstechnik (p < 1 mbar)
elektrische Messtechnik:
Netzwerk- und Spektrumanalyse bis 20GHz
On wafer Messtechnik bis 20 Ghz
Rauschmesstechnik bis 18 GHz
Impedanzmessplatz für die Messung von Piezoelektrischen Bauelementen
Leiterplattenprototypen Herstellung für Anwendungen bis 20 GHz mit CNC Fräse ISEL CPM3020 (10 µm Positioniergenauigkeit)
Gepulste Spannungsmessung im 10 ns -Bereich
Vakuummesstechnik (p < 1 mbar)
Lehrgebiete
Physik
Einordnung in DFG Systematik der Fächer
Ingenieurwissenschaften
- Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme
- Herstellung und Eigenschaften von Funktionsmaterialien
- Messsysteme
- Nachrichten- unc Hochfrequenztechnik, Kommunikationstechnik, - netze, Theoretische Elektrotechnik
Forschungsaktivität
Forschungsgebiete
-Modellierung von Halbleiterbauelementen
-Entwicklung von Kalibrierverfahren und Kalibrierstandards für die Hochfrequenzmesstechnik (aktive und passive Standards)
-Entwicklung von Kalibrierverfahren und Kalibrierstandards für die Hochfrequenzmesstechnik (aktive und passive Standards)
Bisherige Forschungstätigkeiten
Rahmenkooperation mit dem Fraunhofer Institut für Integrierte Schaltungen IIS-A in Erlangen von September 1998 bis August 2004
Hierbei wurde u.a. ein Mitarbeiter BAT IIa für die Dauer von ca. 5 Jahren bezahlt (Drittmitteleinnahmen ca. 250000 €)
Ausserdem wurden Sachmittel in Höhe von 18000 € zur Verfügung gestellt.
Parameterextraktion eines Low Power CMOS Prozesses für die Firma Biotronic (u.a. Hersteller von Herzschrittmachern) Drittmitteleinnahmen von ca. 5000 €.
BmBF Projekt Förderkennzeichen 1701001 vom 1.10.2001-28.2.2003
„Modellierung und Charakterisierung von Halbleiterbauelementen für die Mobilkommunikation mit CMOS Technologie“
Hierbei wurden Investitionsmittel in Höhe von ca. 100000 € für den Aufbau eines on wafer Halbleitermessplatzes genehmigt der u.a. die Netzwerkanalyse bis 20 GHz ermöglicht.
Praxissemester: Okt.2000 – Juli 2001 (2 Semester mit halbem Deputat) Forschungstätigkeit am IIS-A mit dem Thema Modellierung von GaAs Heterobipolartransistoren.
. Praxissemester: Okt. 2006 – Juli 2007 (2 Semester mit halbem Deputat) Entwicklungstätigkeit bei der Siemens AG Bereich Medizintechnik mit dem Thema Untersuchung und Prototyping zur optischen Übertragung von MR-Signalen in der Kernspintomographie. Hierbei wurde eine Anordnung zur Übertragung von Magnetresonanzsignalen zum Patent angemeldet und an die Firma Siemens AG übertragen.
Hierbei wurde u.a. ein Mitarbeiter BAT IIa für die Dauer von ca. 5 Jahren bezahlt (Drittmitteleinnahmen ca. 250000 €)
Ausserdem wurden Sachmittel in Höhe von 18000 € zur Verfügung gestellt.
Parameterextraktion eines Low Power CMOS Prozesses für die Firma Biotronic (u.a. Hersteller von Herzschrittmachern) Drittmitteleinnahmen von ca. 5000 €.
BmBF Projekt Förderkennzeichen 1701001 vom 1.10.2001-28.2.2003
„Modellierung und Charakterisierung von Halbleiterbauelementen für die Mobilkommunikation mit CMOS Technologie“
Hierbei wurden Investitionsmittel in Höhe von ca. 100000 € für den Aufbau eines on wafer Halbleitermessplatzes genehmigt der u.a. die Netzwerkanalyse bis 20 GHz ermöglicht.
Praxissemester: Okt.2000 – Juli 2001 (2 Semester mit halbem Deputat) Forschungstätigkeit am IIS-A mit dem Thema Modellierung von GaAs Heterobipolartransistoren.
. Praxissemester: Okt. 2006 – Juli 2007 (2 Semester mit halbem Deputat) Entwicklungstätigkeit bei der Siemens AG Bereich Medizintechnik mit dem Thema Untersuchung und Prototyping zur optischen Übertragung von MR-Signalen in der Kernspintomographie. Hierbei wurde eine Anordnung zur Übertragung von Magnetresonanzsignalen zum Patent angemeldet und an die Firma Siemens AG übertragen.
Gutachtertätigkeit
Review von Artikeln für IEEE Zeitschriften
Besonderes Interesse an Projekten / Partnern / Themenbereiche
-Modellierung von Halbleiterbauelementen
-Entwicklung von Kalibrierverfahren und Kalibrierstandards für die Hochfrequenzmesstechnik (aktive und passive Standards)
Partner: Universität Bordeaux Institut IMS
-Entwicklung von Kalibrierverfahren und Kalibrierstandards für die Hochfrequenzmesstechnik (aktive und passive Standards)
Partner: Universität Bordeaux Institut IMS
Kompetenzcluster der FHWS
- Energietechnik & Energieeffizenz
- Digitalisierung
- Mensch-Umwelt-Kommunikation
- Neue Materialien
Persönliche Vernetzung und Auszeichnungen
Mitgliedschaft Fachgremien / Verbänden
Mitglied im Arbeitskreis Bipolarmodellierung
Auszeichnungen und Preise
Best paper award für:
P. Baureis et al., „A Fully Integrated 0.35 µm CMOS MMIC Amplifier for Short Range 433 MHz ISM Band Transceiver Applications“, Proceedings IEEE 24 th International Conference on Microelectronics (MIEL 2004), pp. 589-592 , May 2004.
P. Baureis et al., „A Fully Integrated 0.35 µm CMOS MMIC Amplifier for Short Range 433 MHz ISM Band Transceiver Applications“, Proceedings IEEE 24 th International Conference on Microelectronics (MIEL 2004), pp. 589-592 , May 2004.
Publikationen
Zeitschriftenbeiträge
[1] P. Baureis, R. Ebert, F. Schmitz, Solutions for the equilibrium of static isothermal gas clouds with poloidal magnetic fields, Astron. Astrophysics, Nr. 225, 1989, pp. 405-410.
[2] P. Baureis, W. McKinley and D. Seitzer, A New Large Signal Model for Heterojunction Bipolar Transistors Including Temperature Effects, proceedings IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC 1991), May 1991, pp.23.3.1-23.3.4.
[3] P. Baureis, Large Signal HBT Model for TECAP, Characterization Solutions (HP), Summer 1991,pp 5-7.
[4] F. Cepl, P. Baureis, D. Seitzer and P. Zwicknagl, A 4 Gs/s Comparator fabricated in an AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Process, proceedings IEEE Bipolar Circuits & Technology Meeting (BCTM1991) , Sep. 1991, pp.39-42.
[5] P. Baureis and T. Zimmer, Comparison of Five Methods in Determination of Parasitic Resistances in Ion Implamted GaAs FETs, proceedings 2nd European Symposium On Reliability of Electron Devices (ESREF 1991), Failure Physics and Analysis, Oct. 1991, pp. 467-474.
[6] P. Baureis, D. Seitzer and U. Schaper, Modeling of Self-Heating in GaAs/AlGaAs HBTs for Accurate Circuit and Device Analysis, proceedings IEEE GaAs IC Symposium, Oct. 1991, pp. 125-128.
[7] P. Baureis, Ein neues Großsignalmodell für Heterobipolar-Transistoren unter Berücksichtigung von Temperatureffekten, ITG Diskussionssitzung, Mar. 1992, Schwäbisch Gmünd
[8] P. Baureis, D. Göttler, F. Oehler and P. Zwicknagl, Monolithic High Gain DC to 10 GHz Direct Coupled Feedback Transimpedance Amplifier Using AlGaAs/GaAs HBTs, proceedings European Semiconductor Circuits Conference (ESSCIRC 1993), Sep. 1993, pp. 126-129.
[9] P. Baureis and D. Seitzer, Parameter Extraction for HBTs Temperature Dependent Large Signal Equivalent Circuit Model, proceedings IEEE GaAs IC Symposium, Oct. 1993, pp. 263-266.
[10] P. Baureis, Electrothermal Modeling of Multi-Emitter Heterojunction-Bipolartransistors (HBTs), proceedings IEEE 3rd International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimeterwave Circuits (INMMC 1994), Oct. 1994, pp. 145-148.
[11] J. Gerber, H.Hauer, P. Baureis, N. Weber, Pulsoximetrie für den medizinischen Einsatz, 2.Workshop Methoden- und Werkzeugentwicklung für den Mikrosystementwurf (METEOR), Nov. 1995
[12] P. Baureis, J. Gerber, J. Würfl, B. Janke, Operational Amplifier Design Using GaAs MESFET for Temperature Applications up to 350 °C, Proceedings High Temperature Electronics Conference (HiTEC 1996), Jun. 1996, Vol.1, pp. IV-3 - IV-8.
[13] P. Baureis, J. Gerber, Characterization and Modeling of Integrated Photosensors in Standard CMOS Technology, proceedings European Solid State Device Research Conference (ESSDERC 1996), Sept. 1996, pp. 735-738.
[14] J.E. Müller, P. Baureis, et. al., A 2W, 62% PAE, Small Chip Size HBT MMIC for 3V PCN Applications, proceedings GaAs IC Symposium, Oct. 1997, pp. 256-259.
[15] N. Bovolon, P. Baureis, et. al., A simple Method for The Thermal Resistance Measurement of AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors thermal resistance, IEEE Trans. Electron Devices, VOL. 45, NO 8, pp. 1846-1848., Aug. 1998
[16] J.E. Müller, P. Baureis, et. al., „A small Chip Size 2W, 62% efficient HBT MMIC for 3V PCN Applications“, IEEE J. Solid-State Circuits (Special Edition on high speed circuits), Vol. 33 NO 9. pp.1277-1283 , Sep. 1998.
[17] R. Schultheis, P. Baureis, et. al., „Small Signal Modeling of HBTs for High-Power Applications“,
proceedings IEEE 5th International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimeterwave Circuits (INMMC 1998), Oct. 1998.
[18] M.Peter, P. Baureis, H. Hein, F. Oehler, „Scaleable Inductor Model on Lossy Substrates with Accurate Eddy Current Simulation“, Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference ESSDERC 2000, pp. 160-163.
[19] P. Baureis, M. Peter, H.Hein, F. Oehler, „Design Procedure for Fully Integrated 900 MHz Medium Power Amplifiers in 0.6 µm CMOS Technology on Latchup Resistant EPI-Substrate“, Proceedings TOPICAL MEETING ON SILICON MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUITS IN RF SYSTEMS 2001, pp. 142-148, Sep. 2001.
[20] M. Peter, H. Hein, F. Oehler, P. Baureis, „Low Phase Noise Low Power 4.3 GHz VCO in Standard 0.35 µm CMOS“, Proceedings 1st IEEE International Conference on Circuits and Systems for Communications, pp. 358-361, Jun. 2002.
[21] M. Peter, H. Hein, F. Oehler, P. Baureis, „New Transmission Line Structure with Suppressed Eddy Current Effects, 2002 IEEE MTT-S Digest, pp. 2001-2004, Jun. 2002
[22] P. Baureis, M. Peter, H. Hein, F. Oehler, „Fully Integrated 2-Stage Power Amplifier Module for 2.4 GHz ISM-Band Applications Realised on 1 mm2 Digital CMOS Technology“, Proceedings of the European Solid-State Circuit Conference ESSCIRC 2002, pp. 839-842, Sep. 2002.
[23] M. Peter, H. Hein, F. Oehler, P. Baureis, „Vollständig monolithisch integrierter 650 MHz – VCO in einer Standard 0.35 µm CMOS-Technologie für ein Body Area Network, Proceedings 11. E.I.S.- Workshop Entwurf Integrierter Schaltungen und Systeme, pp. 25-29., Mar. 2003.
[24] P. Baureis, M. Peter, H.Hein, F. Oehler, „Planar Inductors with Subdivided Conductors for Reducing Eddy Current Effects“, Proceedings TOPICAL MEETING ON SILICON MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUITS IN RF SYSTEMS 2003, pp. 104-106, Sep. 2003.
[25] P. Baureis, H.Hein, M. Peter, F. Oehler, „A Fully Integrated 0.35 µm CMOS MMIC Amplifier for Short Range 433 MHz ISM Band Transceiver Applications“, Proceedings IEEE 24 th International Conference on Microelectronics (MIEL 2004), pp. 589-592 , May 2004.
[26] S. Fregonese, P. Baureis, T. Zimmer, H. Mnif, C. Maneux, „Obtaining Isothermal Data for HBT“, IEEE Trans. Electron Devices, vol.51, Nr. 7, pp. 1211-1213, Jul. 2004.
[27] G.Popken, P. Baureis, M.Hartmann, H. Milosiu, H. Neubauer, F. Oehler, M. Peter, „A2.4-GHz ISM- Transmitter IC with Novel Quadrature Clock Generation Technique for a Localization Application“, 2005 IEEE MTT-S Digest, Jun. 2005.
[28] P. Baureis, „Compact Modeling of Electrical, Thermal and Optical LED Behavior“, Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference ESSDERC 2005, pp. 145-148, Sep. 2005.
[29] P. Baureis, „Avalanche Breakdown in GaInP/GaAs HBTs“, Proceedings German Microwave Conference GeMiC 2006, Mar. 2006.
[30] O.Weiß, P. Baureis, N. Kellmann, N. Weber, R. Weigel, „A new Compact Model for the Avalanche Effect in InAlAs/InGaAs HBTs“, IEEE Electron Device Letters, Vol. 27, No. 6, pp. 431-434, Jun. 2006.
[31] O.Weiß, P. Baureis, N. Kellmann, N. Weber, R. Weigel, “Correcting the Output Conductance for Self-Heating in InAlAs/InGaAs HBTs”, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 53, NO. 9, pp.2231-2236.
[32] P. Baureis, S. Biber..., „Analog Optical Transmission of 4 MRI Receive Channels with high dynamic range over one Single Optical Fiber“, Proc. Intl. Soc. Mag. Reson. Med. 16 (2008) p. 1120, 2008.
[2] P. Baureis, W. McKinley and D. Seitzer, A New Large Signal Model for Heterojunction Bipolar Transistors Including Temperature Effects, proceedings IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC 1991), May 1991, pp.23.3.1-23.3.4.
[3] P. Baureis, Large Signal HBT Model for TECAP, Characterization Solutions (HP), Summer 1991,pp 5-7.
[4] F. Cepl, P. Baureis, D. Seitzer and P. Zwicknagl, A 4 Gs/s Comparator fabricated in an AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Process, proceedings IEEE Bipolar Circuits & Technology Meeting (BCTM1991) , Sep. 1991, pp.39-42.
[5] P. Baureis and T. Zimmer, Comparison of Five Methods in Determination of Parasitic Resistances in Ion Implamted GaAs FETs, proceedings 2nd European Symposium On Reliability of Electron Devices (ESREF 1991), Failure Physics and Analysis, Oct. 1991, pp. 467-474.
[6] P. Baureis, D. Seitzer and U. Schaper, Modeling of Self-Heating in GaAs/AlGaAs HBTs for Accurate Circuit and Device Analysis, proceedings IEEE GaAs IC Symposium, Oct. 1991, pp. 125-128.
[7] P. Baureis, Ein neues Großsignalmodell für Heterobipolar-Transistoren unter Berücksichtigung von Temperatureffekten, ITG Diskussionssitzung, Mar. 1992, Schwäbisch Gmünd
[8] P. Baureis, D. Göttler, F. Oehler and P. Zwicknagl, Monolithic High Gain DC to 10 GHz Direct Coupled Feedback Transimpedance Amplifier Using AlGaAs/GaAs HBTs, proceedings European Semiconductor Circuits Conference (ESSCIRC 1993), Sep. 1993, pp. 126-129.
[9] P. Baureis and D. Seitzer, Parameter Extraction for HBTs Temperature Dependent Large Signal Equivalent Circuit Model, proceedings IEEE GaAs IC Symposium, Oct. 1993, pp. 263-266.
[10] P. Baureis, Electrothermal Modeling of Multi-Emitter Heterojunction-Bipolartransistors (HBTs), proceedings IEEE 3rd International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimeterwave Circuits (INMMC 1994), Oct. 1994, pp. 145-148.
[11] J. Gerber, H.Hauer, P. Baureis, N. Weber, Pulsoximetrie für den medizinischen Einsatz, 2.Workshop Methoden- und Werkzeugentwicklung für den Mikrosystementwurf (METEOR), Nov. 1995
[12] P. Baureis, J. Gerber, J. Würfl, B. Janke, Operational Amplifier Design Using GaAs MESFET for Temperature Applications up to 350 °C, Proceedings High Temperature Electronics Conference (HiTEC 1996), Jun. 1996, Vol.1, pp. IV-3 - IV-8.
[13] P. Baureis, J. Gerber, Characterization and Modeling of Integrated Photosensors in Standard CMOS Technology, proceedings European Solid State Device Research Conference (ESSDERC 1996), Sept. 1996, pp. 735-738.
[14] J.E. Müller, P. Baureis, et. al., A 2W, 62% PAE, Small Chip Size HBT MMIC for 3V PCN Applications, proceedings GaAs IC Symposium, Oct. 1997, pp. 256-259.
[15] N. Bovolon, P. Baureis, et. al., A simple Method for The Thermal Resistance Measurement of AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors thermal resistance, IEEE Trans. Electron Devices, VOL. 45, NO 8, pp. 1846-1848., Aug. 1998
[16] J.E. Müller, P. Baureis, et. al., „A small Chip Size 2W, 62% efficient HBT MMIC for 3V PCN Applications“, IEEE J. Solid-State Circuits (Special Edition on high speed circuits), Vol. 33 NO 9. pp.1277-1283 , Sep. 1998.
[17] R. Schultheis, P. Baureis, et. al., „Small Signal Modeling of HBTs for High-Power Applications“,
proceedings IEEE 5th International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimeterwave Circuits (INMMC 1998), Oct. 1998.
[18] M.Peter, P. Baureis, H. Hein, F. Oehler, „Scaleable Inductor Model on Lossy Substrates with Accurate Eddy Current Simulation“, Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference ESSDERC 2000, pp. 160-163.
[19] P. Baureis, M. Peter, H.Hein, F. Oehler, „Design Procedure for Fully Integrated 900 MHz Medium Power Amplifiers in 0.6 µm CMOS Technology on Latchup Resistant EPI-Substrate“, Proceedings TOPICAL MEETING ON SILICON MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUITS IN RF SYSTEMS 2001, pp. 142-148, Sep. 2001.
[20] M. Peter, H. Hein, F. Oehler, P. Baureis, „Low Phase Noise Low Power 4.3 GHz VCO in Standard 0.35 µm CMOS“, Proceedings 1st IEEE International Conference on Circuits and Systems for Communications, pp. 358-361, Jun. 2002.
[21] M. Peter, H. Hein, F. Oehler, P. Baureis, „New Transmission Line Structure with Suppressed Eddy Current Effects, 2002 IEEE MTT-S Digest, pp. 2001-2004, Jun. 2002
[22] P. Baureis, M. Peter, H. Hein, F. Oehler, „Fully Integrated 2-Stage Power Amplifier Module for 2.4 GHz ISM-Band Applications Realised on 1 mm2 Digital CMOS Technology“, Proceedings of the European Solid-State Circuit Conference ESSCIRC 2002, pp. 839-842, Sep. 2002.
[23] M. Peter, H. Hein, F. Oehler, P. Baureis, „Vollständig monolithisch integrierter 650 MHz – VCO in einer Standard 0.35 µm CMOS-Technologie für ein Body Area Network, Proceedings 11. E.I.S.- Workshop Entwurf Integrierter Schaltungen und Systeme, pp. 25-29., Mar. 2003.
[24] P. Baureis, M. Peter, H.Hein, F. Oehler, „Planar Inductors with Subdivided Conductors for Reducing Eddy Current Effects“, Proceedings TOPICAL MEETING ON SILICON MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUITS IN RF SYSTEMS 2003, pp. 104-106, Sep. 2003.
[25] P. Baureis, H.Hein, M. Peter, F. Oehler, „A Fully Integrated 0.35 µm CMOS MMIC Amplifier for Short Range 433 MHz ISM Band Transceiver Applications“, Proceedings IEEE 24 th International Conference on Microelectronics (MIEL 2004), pp. 589-592 , May 2004.
[26] S. Fregonese, P. Baureis, T. Zimmer, H. Mnif, C. Maneux, „Obtaining Isothermal Data for HBT“, IEEE Trans. Electron Devices, vol.51, Nr. 7, pp. 1211-1213, Jul. 2004.
[27] G.Popken, P. Baureis, M.Hartmann, H. Milosiu, H. Neubauer, F. Oehler, M. Peter, „A2.4-GHz ISM- Transmitter IC with Novel Quadrature Clock Generation Technique for a Localization Application“, 2005 IEEE MTT-S Digest, Jun. 2005.
[28] P. Baureis, „Compact Modeling of Electrical, Thermal and Optical LED Behavior“, Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference ESSDERC 2005, pp. 145-148, Sep. 2005.
[29] P. Baureis, „Avalanche Breakdown in GaInP/GaAs HBTs“, Proceedings German Microwave Conference GeMiC 2006, Mar. 2006.
[30] O.Weiß, P. Baureis, N. Kellmann, N. Weber, R. Weigel, „A new Compact Model for the Avalanche Effect in InAlAs/InGaAs HBTs“, IEEE Electron Device Letters, Vol. 27, No. 6, pp. 431-434, Jun. 2006.
[31] O.Weiß, P. Baureis, N. Kellmann, N. Weber, R. Weigel, “Correcting the Output Conductance for Self-Heating in InAlAs/InGaAs HBTs”, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 53, NO. 9, pp.2231-2236.
[32] P. Baureis, S. Biber..., „Analog Optical Transmission of 4 MRI Receive Channels with high dynamic range over one Single Optical Fiber“, Proc. Intl. Soc. Mag. Reson. Med. 16 (2008) p. 1120, 2008.